类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：100A（在Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：120W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：双排散热封装（如HPAK或类似）

B3164UCLRP 的一大核心特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。此外，该MOSFET具备高电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作，适用于高性能电源转换系统。其封装设计优化了散热性能，有助于快速将热量传导至PCB，从而提升器件的可靠性和寿命。
　　B3164UCLRP 还具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持性能稳定，适用于高密度电子系统中对散热有严格要求的应用。栅极驱动电压范围较宽，可在10V至20V之间正常工作，使其兼容多种驱动电路设计。此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器等，能够有效减小系统体积并提升效率。
　　在安全性和保护方面，B3164UCLRP 设计有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压情况下提供一定的保护作用，从而增强系统的鲁棒性。

B3164UCLRP 主要应用于需要高效能功率管理的场合，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源模块、汽车电子系统以及工业自动化设备等。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用于要求高效率和高可靠性的电源设计中。

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　　 "B3164UC-BP",
　　 "B3164UCZ",
　　 "B3164UCZ-TR"
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