KF7N50 时间：2025/12/28 15:31:03 阅读：9

KF7N50是一种N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于电源管理、开关电路和功率放大等应用。该晶体管采用先进的工艺制造，具有高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性，适用于高效率的功率转换系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：7A
　　功耗（Pd）：125W
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.85Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220、TO-251等常见功率封装

特性

KF7N50具有多项优良的电气和机械特性，使其适用于多种功率电子应用。首先，其高耐压能力（500V）使其能够在高压环境中稳定工作，适用于开关电源、适配器和电机驱动等应用。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值约为0.85Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，KF7N50具备良好的热稳定性和较高的功耗容限（125W），使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件采用TO-220或TO-251等常见封装形式，便于安装和散热设计，适用于各类工业和消费类电子产品。
　　在开关性能方面，KF7N50具有较快的开关速度，能够有效减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，便于工程师进行灵活的电路布局和优化设计。
　　综合来看，KF7N50是一款性能稳定、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种高压、高功率的应用场景，能够为电源转换、电机控制和照明系统等提供高效的解决方案。