时间：2025/12/28 14:50:49
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KF5N50FSA是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于高频率和高效率的功率转换场合。KF5N50FSA通常封装在TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装中，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：5A
漏源击穿电压（VDS）：500V
栅源击穿电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：约1.2Ω（典型值）
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
KF5N50FSA的主要特性包括高耐压能力、低导通电阻、快速开关响应和高可靠性。其500V的漏源击穿电压使其适用于高压电源应用，同时1.2Ω的导通电阻确保了在高电流工作时的低功率损耗。该MOSFET采用先进的硅工艺，提供了良好的热稳定性和长期可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品。
此外，KF5N50FSA的TO-252封装设计具有良好的散热性能，支持表面贴装工艺，降低了PCB布局的复杂性。其栅极驱动特性较为宽泛，可兼容多种驱动电路，适合用于PWM控制、开关电源、负载开关等应用场景。KF5N50FSA还具备一定的抗雪崩能力和过载保护能力，增强了器件在严苛环境下的稳定性。
KF5N50FSA常用于开关电源（SMPS）、LED驱动器、DC-DC转换器、电机控制、负载开关、电池管理系统（BMS）以及各种中高压功率转换设备。由于其高耐压和低导通电阻的特性，它在电源适配器、充电器、工业自动化设备和家电控制电路中具有广泛的应用前景。
K2543, FQA5N50C, 2SK2543
