时间：2025/7/17 19:45:09
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APM4953KC-TR 是由 Advanced Power Technology（简称 APT，现为 Microchip Technology 旗下品牌）生产的一款双N沟道增强型MOSFET器件，采用SOT-23封装。该器件设计用于高效率、低功耗的应用场景，适用于电源管理和负载开关控制等领域。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4.1A
导通电阻(Rds(on))：58mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：1.6W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
APM4953KC-TR 具备出色的电性能和热稳定性，其双N沟道MOSFET结构使其在单一封装内实现了高效的功率传输能力。
这款器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，从而提升整体能效并降低发热量，非常适合用于需要高效散热管理的设计。
此外，APM4953KC-TR 支持较高的栅源电压（±20V），具有较强的抗干扰能力和可靠性，在恶劣的电气环境中仍能稳定运行。
由于采用了 SOT-23 小型封装形式，它节省了 PCB 空间，同时具备良好的焊接可靠性和易集成性，适用于表面贴装工艺。
该器件内置静电放电（ESD）保护功能，增强了抗静电能力，提高了长期使用的稳定性。
APM4953KC-TR 常用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动电路、负载开关控制、电池供电设备以及各类消费类电子产品的功率控制模块中。
此外，它也广泛应用于工业自动化设备、便携式电子产品、LED照明驱动及通信设备中，作为高效能开关元件使用。
Si4445DY-T1-GE3, IRML2803-TR, FDS6675CZ, NTD4953NL
