时间：2025/9/12 10:52:52
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KF5N50DZ 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于各种高效率开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大栅源电压（VGS）：±30V
最大连续漏极电流（ID）：5A（在25℃）
导通电阻（RDS(on)）：≤0.8Ω（典型值）
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
KF5N50DZ 具备出色的开关性能和较低的导通损耗，能够在高频工作条件下保持高效率。其采用 TO-252 封装，具备良好的散热能力，适用于紧凑型电源设计。此外，该器件具备较高的热稳定性与可靠性，能够承受一定的瞬态过载能力，确保系统在异常情况下仍能稳定运行。KF5N50DZ 还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关过程中的驱动损耗，提高整体电源转换效率。其栅极结构设计优化，可有效防止静电击穿，并具备良好的抗干扰能力。
该器件的制造工艺采用了先进的平面工艺和沟槽技术，使得其在导通电阻和开关速度之间取得了良好的平衡。同时，KF5N50DZ 在高温环境下仍能维持稳定的电气性能，适合在工业级应用中使用。其封装形式便于焊接和安装，适用于自动贴片工艺，提高了生产效率。
KF5N50DZ 常用于开关电源（SMPS）、适配器、充电器、LED 照明驱动、电机控制、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、家用电器以及工业控制设备中。其高耐压和低导通电阻特性使其成为中功率电源应用的理想选择。
TK11A50D, FQP5N50C, 2SK2545, STP5NK50Z, IRF540N
