时间：2025/7/12 14:13:23
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12101U2R4DAT2A 是一款高性能的陶瓷电容器，采用多层陶瓷技术制造。该型号属于 C0G 介质系列，具有极高的稳定性和低损耗特性，适用于高频电路和滤波应用。它在宽温度范围内表现出优异的容量稳定性，并且具有耐高压、高可靠性的特点。
该电容器通常用于射频 (RF) 电路、振荡器、谐振电路以及其他需要高精度和高稳定性的电子设备中。
电容值：2.4pF
额定电压：100V
介质材料：C0G (NP0)
封装类型：1210 (3225 英制)
公差：±0.3pF
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
频率特性：适用于高频应用
尺寸：3.2mm x 2.5mm
12101U2R4DAT2A 的主要特性包括：
1. 高稳定性：采用 C0G 介质，确保在整个温度范围和使用寿命内的电容值变化极小。
2. 超低损耗：其介质损耗因数非常低，适合高频和高 Q 值的应用。
3. 小型化设计：使用标准的 1210 封装，能够在紧凑的空间内提供可靠的性能。
4. 宽温度范围：支持从 -55℃ 到 +125℃ 的极端环境温度操作，适用于工业和汽车级应用。
5. 耐高压：额定电压高达 100V，能够承受较高的直流偏置条件。
6. 高可靠性：经过严格的质量控制测试，满足高可靠性要求的电子产品需求。
这款电容器广泛应用于以下领域：
1. 射频 (RF) 和微波电路中的信号滤波和匹配。
2. 振荡器和时钟电路中的谐振元件。
3. 高频放大器和混频器中的耦合和解耦。
4. 数据通信和网络设备中的信号完整性优化。
5. 工业自动化和医疗设备中的电源滤波。
6. 汽车电子系统中的抗干扰和噪声抑制。
7. 高温环境下工作的航空航天和军事设备中的关键组件。
1210C2P4BBT2G, C1210C2P4BBT2G, GRM31CR60J2R4LB01D
