时间：2025/9/13 22:31:01
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BUK954R2-55B,127 是一款由Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）生产的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、电源管理系统和负载开关应用。该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，从而减少功率损耗并提高系统效率。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：55V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：80A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：4.2mΩ（最大值，在Vgs=10V时）
功耗（Ptot）：120W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220AB
安装类型：通孔安装
BUK954R2-55B,127 具有多个显著的电气和热性能优势。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低传导损耗，提高能效，使其非常适合用于高电流电源转换应用。该器件支持高达80A的连续漏极电流，能够在高负载条件下稳定运行。此外，其TO-220AB封装提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的可靠性。
该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，增强了其在高压和高浪涌电流条件下的稳定性。其栅极氧化层设计支持±20V的栅源电压，提高了器件在复杂驱动条件下的耐用性。同时，其工作温度范围宽广（从-55°C到+175°C），适合在极端环境条件下使用，如汽车电子、工业控制和电源管理系统。
此外，BUK954R2-55B,127 还具备快速开关特性，降低了开关损耗，提高了整体系统效率。其设计优化了热阻，从而在高频率工作时保持较低的温升，延长了使用寿命并提升了稳定性。
BUK954R2-55B,127 广泛应用于多种高功率和高效率需求的电子系统中。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的电源模块。此外，它也非常适合用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统、电动助力转向系统等，其高可靠性和耐久性使其成为汽车和工业领域的优选器件。
由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET也可用于高性能计算设备的电源管理，如服务器电源、图形处理单元（GPU）供电模块等。其优异的热性能和宽工作温度范围也使其在户外设备、嵌入式系统和可再生能源系统（如太阳能逆变器）中表现出色。
IRF1405, SiHH80N55EF, FDD80N55NS
