时间：2025/12/28 15:13:33
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KF5N50DR 是一款由Kexin（科信）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种电源管理和功率转换应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：5A
导通电阻（Rds(on)）：≤1.2Ω（典型值）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
KF5N50DR具有优异的电气性能和可靠性。其高耐压特性使其能够承受较高的电压应力，适用于高压开关电路。低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的封装形式（TO-252）具有良好的散热性能，有助于在高电流工作条件下保持较低的温度上升。KF5N50DR还具备良好的抗雪崩能力和过载保护能力，使其在各种恶劣工作环境下仍能稳定运行。该MOSFET的栅极驱动特性较为平滑，有助于减少开关过程中的电压和电流尖峰，提高系统稳定性。
KF5N50DR的制造工艺采用了先进的沟槽式MOS结构，提高了器件的可靠性和耐用性。同时，该器件符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品应用。KF5N50DR在设计上优化了高频开关特性，适用于高频电源转换器等对开关速度有较高要求的应用场景。
KF5N50DR主要用于各类电源管理系统和功率电子设备中，包括但不限于以下应用：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动电路、负载开关控制、LED照明驱动电源、家电控制板以及工业自动化设备中的功率控制部分。该器件特别适用于需要高电压耐受能力和较高效率的系统设计。
常见的替代型号包括：IRF540N、STP5NK50Z、2SK2647、FQA5N50C
