时间：2025/12/28 15:46:49
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KF5N40D-RTF/H是一款由Kexin Electronics推出的N沟道增强型功率MOSFET，专为高效能电源管理和功率转换应用设计。该器件采用了先进的沟槽技术，提供了低导通电阻和高可靠性，适用于如电源适配器、电池充电器、DC-DC转换器和负载开关等多种电源管理场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：5A
漏极-源极击穿电压（VDS）：400V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤2.5Ω（典型值）
功率耗散（PD）：30W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
KF5N40D-RTF/H具备多项优异特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了在高电流应用中的功率损耗，从而提高了系统效率并减少了散热需求。其次，该MOSFET具有高耐压能力，漏极-源极击穿电压可达400V，确保其在高压环境中稳定工作。此外，KF5N40D-RTF/H的栅极设计支持±20V的栅极-源极电压，增强了器件在开关过程中的稳定性和抗干扰能力。
该器件采用了高可靠性的沟槽式MOSFET技术，使其在高温环境下依然能够保持稳定的性能。KF5N40D-RTF/H的封装形式为TO-252（DPAK），这种表面贴装封装不仅有助于提高散热效率，还便于自动化生产和PCB布局。其最大功率耗散为30W，能够在较高的工作温度下持续运行，适用于多种严苛的应用环境。
KF5N40D-RTF/H广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括电源适配器、AC-DC电源模块、电池充电器、DC-DC转换器以及负载开关电路。此外，该器件也适用于LED照明驱动、电机控制和工业自动化设备中的功率控制部分。由于其高耐压能力和低导通电阻，KF5N40D-RTF/H在需要高效能和高可靠性的应用中表现出色，是许多电源设计工程师的首选器件。
FQP5N40C、IRF540N、STF5N40Z、2SK2647
