KF3N80D 时间：2025/12/28 15:11:51 阅读：12

KF3N80D是一款由Kexin Electronics生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性等特点，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：3A（在25℃）
　　功耗（PD）：50W
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.5Ω（在VGS=10V）
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-92

特性

KF3N80D的主要特性之一是其高达800V的漏源电压能力，使其适用于高压电源应用。该器件在VGS=10V时的导通电阻不超过2.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，KF3N80D具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定运行。其TO-92封装形式不仅节省空间，还便于散热和安装，适用于多种电路板布局。
　　该MOSFET还具有较高的开关速度，适合用于高频开关电路。其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，使得其在多种应用场景中具有良好的适应性。KF3N80D的结构设计优化了电场分布，提高了器件的可靠性和耐用性，适用于要求较高的工业和消费类电子产品。
　　另外，KF3N80D在设计上考虑了抗静电能力，具有一定的ESD保护能力，能够在一定程度上抵御静电放电带来的损害。这使得它在实际应用中更加稳定可靠，降低了因外部干扰导致的故障率。

应用

KF3N80D广泛应用于各类电源管理电路中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制电路以及各类负载开关等场景。其高耐压特性也使其适用于需要隔离和高压处理的工业控制系统。此外，由于其具备良好的热稳定性和较高的开关频率特性，KF3N80D也可用于高频逆变器和节能型家电产品中。