KF3N50IZ 时间：2025/12/28 14:52:45 阅读：10

KF3N50IZ 是一款由Kexin Electronics（科信电子）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于中高功率应用，具有良好的导通特性和较低的开关损耗。KF3N50IZ采用了TO-220封装形式，便于散热，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电源开关等多种应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：3A
　　功耗(Pd)：50W
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为3.5Ω（最大4.5Ω）
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-220
　　阈值电压(Vgs(th))：2V～4V

特性

KF3N50IZ是一款性能稳定的功率MOSFET器件，具有较高的耐压能力和良好的导通特性。其主要特性包括：耐压高、导通电阻适中、开关速度快、热稳定性好。
　　首先，该器件的漏源耐压(Vds)高达500V，使其适用于中高压电源系统。其次，其导通电阻Rds(on)典型值为3.5Ω，最大为4.5Ω，在3A电流下工作时能够保持较低的导通损耗。
　　此外，KF3N50IZ采用了TO-220封装，具备良好的散热性能，适合用于对散热有一定要求的电路设计。其栅极耐压为±30V，提供了较高的驱动灵活性，并增强了抗干扰能力。
　　该MOSFET的工作温度范围宽，从-55℃到150℃，适用于多种工业环境。其阈值电压范围为2V～4V，适合多种驱动IC的匹配，提高了设计的兼容性。
　　总体而言，KF3N50IZ是一款性价比高、可靠性强的功率MOSFET，广泛适用于各类中高功率电源和开关控制场合。