时间：2025/9/11 17:39:19
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KF3N40W-RTK/H S是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用了先进的工艺技术，具有低导通电阻、高耐压和优异的开关性能。其封装形式为TO-220，适合高功率密度设计需求。KF3N40W-RTK/H S在工业控制、电源供应器和电机驱动等领域表现出色。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：400V
连续漏极电流（Id）：3A
导通电阻（Rds(on)）：≤2.5Ω
栅极阈值电压：2V~4V
最大功耗：50W
工作温度范围：-55℃~150℃
封装类型：TO-220
KF3N40W-RTK/H S具有出色的导通和开关性能，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具备较高的热稳定性，能够在严苛的工作环境下保持可靠运行。
这款MOSFET采用了先进的封装技术，提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中不会因过热而失效。同时，其高耐压特性使其适用于400V的工作电压范围，适合多种高压电源转换场景。
KF3N40W-RTK/H S还具有较低的栅极电荷（Qg），这有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体效率。其快速开关特性使它成为DC-DC转换器、AC-DC电源和电机控制电路的理想选择。
KF3N40W-RTK/H S主要应用于开关电源、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机控制电路、LED照明驱动和工业自动化设备中。其高耐压和低导通电阻特性使其在高效率电源转换系统中表现出色。
FQP3N40、IRF740、STP3NA40FI、2SK2545
