类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：400V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.0Ω（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：25W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

KF3N40D-RTF/HS具有多个关键特性，使其在电源应用中表现出色。首先，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时最大为2.0Ω，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。其次，其最高漏源电压（Vds）为400V，能够在高压环境中稳定运行，适用于多种电源拓扑结构。
　　此外，KF3N40D-RTF/HS采用了TO-220F封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高功率密度设计。该器件还具备较高的栅极抗静电能力，栅源电压容限为±20V，增强了其在复杂电磁环境下的可靠性。
　　在热性能方面，KF3N40D-RTF/HS的功耗为25W，能够在较高环境温度下保持稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适合在多种工业和消费类应用中使用。该MOSFET还具有较快的开关速度，有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。
　　最后，KF3N40D-RTF/HS在制造过程中采用了符合RoHS标准的材料，满足环保要求，适用于绿色电子产品的设计。

KF3N40D-RTF/HS广泛应用于多种电源管理系统和功率转换设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电池充电器、电机驱动器以及LED照明电源等。由于其具备较高的耐压能力和良好的导热性能，该MOSFET也适用于高电压输入的反激式和正激式电源拓扑。
　　在工业控制领域，KF3N40D-RTF/HS可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的电源模块和负载开关，提供稳定的功率输出。此外，它还可用于不间断电源（UPS）中的DC-AC逆变模块，实现高效的能量转换。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于电视电源、笔记本电脑适配器、智能家居设备电源管理模块等。其低导通电阻和快速开关特性有助于提升设备的能效，满足现代电子产品对节能环保的要求。
　　由于其封装形式为TO-220F，KF3N40D-RTF/HS也适合用于散热要求较高的应用，如工业电机驱动和电源负载开关控制等。

2N60, 2N60B, 2N60C, FQP3N40, IRF730, STP3NK60Z