MLG1005S2N7ST000 时间：2025/11/25 10:55:06 阅读：29

MLG1005S2N7ST000是一款由TDK公司生产的多层陶瓷电感器（Multilayer Ceramic Inductor），属于MLG系列，专为高频应用设计。该器件采用先进的多层陶瓷技术制造，具有小型化、高Q值和良好的频率特性，适用于现代便携式电子设备中的射频（RF）电路匹配、滤波和噪声抑制等场景。其封装尺寸为1005（公制：1.0mm x 0.5mm），符合紧凑型表面贴装需求，适合自动化高速贴片工艺。该电感器的标称电感值为2.7nH，允许一定的公差范围，确保在高频工作条件下提供稳定的性能。由于其低直流电阻（DCR）和较高的自谐振频率（SRF），MLG1005S2N7ST000广泛应用于智能手机、无线通信模块、蓝牙设备、Wi-Fi模块以及其他高频信号处理系统中。此外，该器件具备良好的温度稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性，满足消费类电子产品对小型化与高性能的双重需求。

参数

型号：MLG1005S2N7ST000
　　制造商：TDK
　　封装尺寸：1005（1.0mm x 0.5mm）
　　电感值：2.7nH
　　电感公差：±0.3nH
　　直流电阻（DCR）：典型值约0.35Ω
　　自谐振频率（SRF）：最小值约6.0GHz
　　额定电流：最大约100mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　产品类型：表面贴装多层陶瓷电感
　　应用频率范围：适用于GHz级高频电路

特性

MLG1005S2N7ST000多层陶瓷电感器采用了TDK独有的高温共烧陶瓷（HTCC）工艺与精细内部电极结构设计，使其在GHz级别的高频应用中表现出卓越的电气性能。该器件的核心优势在于其高Q值特性，在典型工作频率下Q值可达50以上，显著优于许多同类小型绕线或薄膜电感，从而有效降低信号传输过程中的能量损耗，提升射频电路的整体效率。这种高Q值表现得益于其低介电损耗材料与优化的层间电极布局，减少了寄生效应并增强了磁通耦合效率。同时，其自谐振频率（SRF）高达6GHz以上，意味着在常见的2.4GHz和5.8GHz无线通信频段内仍能保持接近理想电感的行为，避免因接近谐振点而导致的阻抗突变问题。
　　该电感器的电感值稳定性极佳，标称值为2.7nH，公差控制在±0.3nH以内，确保了在批量生产中电路参数的一致性，有助于提高射频匹配网络的设计精度与良率。其低直流电阻（DCR）特性——典型值仅为0.35Ω——进一步降低了功率损耗，特别适用于对功耗敏感的移动设备。此外，该器件采用无磁芯结构，具有优异的抗磁场干扰能力，并且不会出现饱和现象，保证了在不同电流负载下的线性响应。
　　机械与环境方面，MLG1005S2N7ST000具备出色的耐热性和焊接可靠性，支持回流焊工艺，符合RoHS环保标准。其小型化封装（1.0mm × 0.5mm）极大节省了PCB空间，适用于高度集成的模块设计。整体结构坚固，能够承受多次热循环测试，确保长期使用的稳定性。这些特性共同使该器件成为高频射频前端、天线匹配电路、LC滤波器及EMI抑制电路的理想选择。

应用

MLG1005S2N7ST000主要用于高频射频电路中，常见于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端等便携式电子产品。其典型应用场景包括无线通信系统的阻抗匹配网络，例如Wi-Fi（2.4GHz/5GHz）、蓝牙（BLE）、ZigBee以及NFC等短距离无线模块的天线调谐电路，用于优化信号发射与接收效率。此外，该电感也广泛应用于射频放大器输入输出端的LC滤波器设计中，配合电容构成带通或低通滤波结构，以抑制杂散信号和高频噪声，提升系统信噪比。在超小型射频识别（RFID）标签和传感器节点中，该器件因其微型封装和高频性能而被用于构建谐振回路。同时，它也可作为去耦元件或噪声滤波元件，部署在高频数字信号线路附近，抑制电磁干扰（EMI），保障敏感模拟电路的正常运行。由于其良好的温度稳定性和长期可靠性，该电感还适用于汽车电子中的车载通信模块，如TPMS（胎压监测系统）和远程信息处理单元。总之，凡是需要在有限空间内实现高性能高频电感功能的应用场合，MLG1005S2N7ST000都是一个可靠且高效的选择。