时间：2025/9/11 15:35:26
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KF16N25D-RTF/HS 是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。这款MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具有较低的导通电阻和较高的热稳定性，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统等高效率功率应用。KF16N25D-RTF/HS封装形式为TO-252（也称为DPAK），适用于表面贴装，便于散热和集成。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：250V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：16A
导通电阻（RDS(on)）：0.23Ω @ VGS=10V
功率耗散（PD）：80W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
KF16N25D-RTF/HS 具有出色的电气性能和热管理能力。其低导通电阻（RDS(on)）使得在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，提高系统的整体效率。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在10V至20V之间正常工作，适应不同驱动电路的需求。
此外，KF16N25D-RTF/HS具有良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下可靠运行。其TO-252封装设计不仅有助于散热，还便于在PCB上安装和焊接，适合自动化生产流程。
该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供额外的保护，增强系统的稳定性与安全性。KF16N25D-RTF/HS的可靠性高，符合工业级标准，适用于多种恶劣工作环境。
KF16N25D-RTF/HS 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统中。其高耐压和大电流能力使其特别适合需要高效能和高可靠性的电源应用。
IRFZ44N、STP16NF25、FDPF16N25、TK16A50D
