IPD025N06N 时间：2025/4/28 19:57:55 阅读：3

IPD025N06N是一款N沟道功率MOSFET，采用PDFN33-3封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于需要高效能和小尺寸的应用场景。其主要应用领域包括开关电源、DC/DC转换器、负载开关以及电池保护电路等。该器件的额定电压为60V，持续漏极电流可达2.5A，工作温度范围从-55℃到150℃。

参数

最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：2.5A
　　导通电阻(Rds(on))：80mΩ
　　栅极电荷(Qg)：4nC
　　输入电容(Ciss)：175pF
　　输出电容(Coss)：38pF
　　反向传输电容(Crss)：10pF
　　总功耗(Ptot)：1.3W
　　工作温度范围(Ta)：-55℃ to 150℃

特性

IPD025N06N具备以下特性：
　　1. 极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗。
　　2. 快速开关能力，有助于减少开关损耗。
　　3. 小型化PDFN33-3封装，节省PCB空间。
　　4. 高可靠性设计，能够在恶劣环境下稳定工作。
　　5. 支持高频率操作，适合现代高效电源转换应用。
　　6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。

应用

IPD025N06N适用于多种电子设备及系统，具体应用如下：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
　　2. DC/DC转换器中的高频开关元件。
　　3. 负载开关，在便携式设备中实现快速开关控制。
　　4. 电池保护电路，防止过流或短路情况。
　　5. 电机驱动中的功率级开关。
　　6. 各种消费类电子产品如智能手机、平板电脑适配器中的功率管理模块。