KF13N50 时间：2025/12/28 16:01:15 阅读：7

KF13N50是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于高电压和高功率的应用。该器件基于硅技术制造，具有良好的热稳定性和电气性能，适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及各种高电压控制电路。KF13N50采用TO-220封装，具备高耐压和大电流承载能力，非常适合工业和消费类电子应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：13A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：0.38Ω（最大）
　　功率耗散(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

KF13N50具有多项优异的电气和热性能，使其在高压功率应用中表现出色。首先，其最大漏源电压为500V，能够在高电压环境下稳定工作，适用于多种电力电子设备。其次，最大漏极电流为13A，允许该器件在中高功率应用中使用。导通电阻Rds(on)最大为0.38Ω，这意味着在导通状态下，KF13N50的功耗较低，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件的功率耗散能力为125W，具备良好的散热性能，能够在高负载条件下长时间运行。
　　KF13N50采用了先进的硅工艺技术，确保了其在各种工作条件下的稳定性和可靠性。其栅极驱动电压范围为±30V，使得该器件能够与多种驱动电路兼容。同时，KF13N50的工作温度范围宽广，从-55°C到150°C，适应了工业级环境的应用需求。TO-220封装不仅提供了良好的机械稳定性，还便于安装在散热器上，以提高散热效率。

应用

KF13N50主要应用于高电压和高功率的电子系统中。例如，它广泛用于开关电源（SMPS）中的功率开关元件，能够在高频条件下高效地进行能量转换。此外，KF13N50也适用于DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路以及各种电源管理模块。由于其高耐压和大电流特性，KF13N50在工业控制、家电、通信设备以及新能源系统（如太阳能逆变器）中都有广泛应用。其高可靠性和稳定性也使其成为汽车电子系统中某些高压控制电路的优选器件。