类型：PNP型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-92或SOT-23（根据具体版本）
　　电流增益（hFE）：110-800（根据档位不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz

KEC8550D晶体管具有优异的电学性能和稳定的物理特性，适合多种应用场景。
　　首先，它的集电极-发射极电压（VCEO）为30V，使其能够在中等电压环境下正常工作，同时具备一定的过压保护能力。
　　其次，KEC8550D的最大集电极电流为100mA，适用于中低功率的放大和开关电路。其较高的过渡频率（fT）达到100MHz，表明它在高频信号放大和处理方面表现良好，可用于射频和音频放大器设计。
　　此外，KEC8550D的电流增益（hFE）范围为110至800，具体数值取决于不同批次和分档等级，这使得用户可以根据设计需求选择合适的晶体管，提高电路的灵活性和性能。
　　该器件的封装形式通常为TO-92或SOT-23，具体取决于应用环境和PCB布局需求。TO-92封装适合通孔焊接，适合传统电路板设计，而SOT-23封装则适合表面贴装技术（SMT），适用于高密度电路板布局。
　　KEC8550D的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的热稳定性和环境适应能力，适合工业级和汽车电子应用。
　　其低噪声系数和良好的线性度也使其成为音频放大电路中的理想选择，能够提供清晰的信号放大效果。

KEC8550D晶体管广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要中低功率放大的场景中表现优异。
　　在音频放大器中，KEC8550D可用于前置放大级或驱动级，提供稳定的信号增益，适用于音响系统、耳机放大器和麦克风前置放大电路。
　　在开关电路中，该晶体管可用于控制LED、继电器、小型电机等负载，适用于自动化控制、家用电器和工业设备。
　　此外，KEC8550D也常用于电压调节电路、电源管理模块和传感器信号调理电路，提供可靠的信号处理能力。
　　由于其高频特性，KEC8550D还可用于射频放大器、无线通信模块和低噪声前置放大器，适合需要一定频率响应的通信系统设计。
　　在嵌入式系统和微控制器外围电路中，KEC8550D可用于电平转换、缓冲驱动和逻辑控制，适用于各类智能设备和物联网产品。

BC850, 2N3906, BC557, PN2907