型号：KEC-15S-3
　　封装类型：SMC (TO-263AB)
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：100 V
　　连续漏极电流ID：12 A
　　脉冲漏极电流IDM：48 A
　　栅源电压VGS：±20 V
　　导通电阻RDS(on)：最大15 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 6 A
　　导通电阻RDS(on)：最大20 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 6 A
　　阈值电压VGS(th)：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容Ciss：典型值 1900 pF @ VDS = 50 V, VGS = 0 V
　　输出电容Coss：典型值 480 pF @ VDS = 50 V, VGS = 0 V
　　反向恢复时间trr：典型值 32 ns
　　功耗PD：150 W
　　工作结温范围TJ：-55 °C 至 +175 °C

KEC-15S-3具备优异的电气与热性能，能够有效降低系统功耗并提升整体效率。其核心优势之一是低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时典型值仅为15mΩ，显著减少了导通状态下的功率损耗，特别适用于大电流工作的开关电源拓扑结构如同步整流Buck或Boost转换器。这种低RDS(on)特性有助于减少发热，从而延长系统寿命并提高可靠性。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式（Trench MOS）工艺技术，使得单位面积下具有更高的载流能力，同时优化了电荷注入效率，提升了开关速度。
　　器件的栅极电荷Qg较低，典型值约为45nC @ VGS=10V，这意味着驱动电路所需的能量更少，有利于简化栅极驱动设计并降低驱动损耗，尤其适合高频开关应用。其输入电容和输出电容均经过优化，在保证足够驱动响应的同时避免了过高的动态损耗。体二极管具有较快的反向恢复时间（trr约32ns），可减少在桥式电路或续流路径中的反向恢复损耗，抑制电压尖峰，提升系统稳定性。
　　KEC-15S-3采用SMC表面贴装封装，底部带有裸露焊盘，便于通过PCB散热，实现高效的热传导。该封装形式不仅节省空间，还兼容自动回流焊工艺，适合大规模生产。器件的工作结温高达+175°C，具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。同时，它具备较强的雪崩耐受能力和抗短路能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。内置的静电保护结构也提升了器件在装配和使用过程中的ESD耐受水平。综上所述，KEC-15S-3是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求效率与可靠性的现代电力电子系统。

KEC-15S-3广泛应用于多种中高功率开关电源和功率控制场合。常见用途包括AC-DC开关电源中的主开关管或同步整流器，尤其是在笔记本电脑适配器、LCD电视电源模块和充电器中表现优异。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件也常用于DC-DC降压（Buck）或升压（Boost）转换器中，作为主功率开关元件，服务于服务器电源、工业电源模块及电信设备供电系统。
　　在电机驱动领域，KEC-15S-3可用于中小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供快速响应和低功耗控制。其良好的开关特性和热稳定性使其能在频繁启停和负载变化的工况下保持高效运行。此外，该MOSFET还可作为电子负载开关或热插拔控制器中的主控开关，用于电源管理单元中实现负载的软启动和过流保护功能。
　　在新能源相关应用中，KEC-15S-3可用于太阳能微逆变器、储能系统的充放电控制电路以及LED恒流驱动电源中。其表面贴装封装形式特别适合需要紧凑布局和自动化生产的终端产品，例如智能家居设备、网络路由器电源、工业传感器供电模块等。凭借其高性价比和稳定供货能力，KEC-15S-3成为许多中端功率应用的理想选择。

IRF15S-3
　　STP15NF10T4
　　FQP15N10
　　FDD15N10A