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KDZVTR22B 发布时间 时间:2025/12/25 11:25:53 查看 阅读:11

KDZVTR22B是一款由Rohm Semiconductor生产的表面贴装齐纳二极管,专为低功率稳压和电压参考应用设计。该器件采用SOD-123FL小型封装,具有紧凑的尺寸和优良的热性能,适用于空间受限的高密度电路板布局。KDZVTR22B的标称齐纳电压为2.2V,适合在需要稳定低电压参考的模拟和数字系统中使用。该齐纳二极管通过精确的电压调节特性,能够在输入电压波动或负载变化的情况下维持输出电压的稳定性。其主要优势在于低动态阻抗、快速响应时间和良好的温度稳定性,使其成为众多消费类电子、工业控制和通信设备中的理想选择。器件在制造过程中遵循严格的品质控制标准,确保批次间的一致性和长期可靠性。KDZVTR22B广泛用于电源管理单元、信号电平转换、过压保护电路以及作为基准电压源等场景。

参数

类型:齐纳二极管
  封装/外壳:SOD-123FL
  标称齐纳电压:2.2V
  齐纳电压容差:±5%
  最大耗散功率:500mW
  最大正向电流:200mA
  工作结温范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C
  测试电流:5mA
  最大反向漏电流:1μA(最大值,@ VR = 1V)
  动态阻抗:≤50Ω(@ IZ = 5mA)
  热阻(结至环境):250°C/W

特性

KDZVTR22B具备出色的电压稳定性和低噪声性能,适用于对电源精度要求较高的应用场景。其2.2V的低齐纳电压特别适合用于现代低压逻辑电路的参考电压源,例如在ADC或DAC的偏置电路中提供稳定的基准。该器件在5mA的测试电流下表现出较低的动态阻抗(≤50Ω),这意味着即使负载电流发生微小变化,输出电压也能保持高度稳定,从而提高系统的整体精度。
  由于采用SOD-123FL超小型表面贴装封装,KDZVTR22B不仅节省PCB空间,还具有良好的散热能力,支持自动化贴片生产,提升了制造效率和产品一致性。该封装符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,满足现代电子产品对绿色制造的要求。
  器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,使其可在严苛的环境条件下可靠运行,适用于工业级和汽车电子应用。此外,其低反向漏电流(最大1μA @ VR=1V)有效减少了待机功耗,在电池供电设备中尤为有利。KDZVTR22B还具备快速响应能力,能够迅速抑制瞬态电压波动,起到一定的浪涌保护作用。
  Rohm在该系列齐纳二极管中采用了先进的掺杂工艺和钝化技术,确保了电压温度系数的优化,减小了因温度变化引起的电压漂移。这种高精度和高稳定性的组合使KDZVTR22B成为替代传统分立稳压方案的理想选择。同时,其±5%的初始电压容差保证了批量应用中的良好一致性,降低了系统校准成本。

应用

常用于便携式电子设备中的电压参考和稳压,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备;在电源管理系统中作为辅助稳压单元;用于传感器信号调理电路提供精确偏置;应用于数据采集系统中的ADC/DAC参考源;作为电平移位电路中的钳位元件;在工业控制系统中实现过压保护与电压箝位功能;也适用于各类消费类电子产品中的低功耗稳压需求。

替代型号

MMBZ5221B-7-F,MMSZ5221B-TP1,FMMT5221

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KDZVTR22B参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.10000剪切带(CT)3,000 : ¥0.87820卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)23.85 V
  • 容差-
  • 功率 - 最大值1 W
  • 阻抗(最大值)(Zzt)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10 μA @ 17 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)-
  • 工作温度150°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商器件封装PMDU