时间：2025/12/25 12:29:09
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KDZVTR20B是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的表面贴装齐纳二极管，专为低功率稳压和电压参考应用设计。该器件采用SOD-123FL小型封装，具有紧凑的尺寸和优良的热性能，适用于空间受限的现代电子设备。KDZVTR20B的标称齐纳电压为2.0V，属于低压齐纳二极管系列，能够在微小电流下实现稳定的电压调节，适合用于精密模拟电路、电源监控、信号电平转换以及嵌入式系统的电压箝位保护等场景。
KDZVTR20B的工作稳定性得益于其严格的电压容差控制（通常在±2%以内），并具备较低的动态阻抗，有助于维持输出电压的平稳性。该器件还具备良好的温度稳定性，其电压温度系数经过优化，可在较宽的工作温度范围内保持性能一致。由于采用无铅且符合RoHS标准的材料制造，KDZVTR20B满足当前环保法规要求，广泛应用于消费类电子产品、通信模块、便携式设备及工业控制单元中。
型号：KDZVTR20B
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：齐纳二极管
封装类型：SOD-123FL
标称齐纳电压：2.0V
齐纳电压容差：±2%
最大耗散功率：200mW
最大齐纳电流：100mA
动态阻抗：≤50Ω（典型值，@ IZ = 5mA）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
反向漏电流：≤1μA（@ VR = 1V）
电压温度系数：+0.04%/°C（典型值）
KDZVTR20B作为一款高性能低压齐纳二极管，具备多项关键特性以确保其在各种应用场景中的可靠性与稳定性。首先，其2.0V的低标称齐纳电压使其特别适用于现代低电压数字和模拟系统中，例如为传感器接口、ADC参考源或逻辑电平移位器提供稳定的小幅值参考电压。这种低电压操作能力在电池供电设备中尤为重要，能够有效延长续航时间并减少功耗。
其次，该器件采用了高精度电压调节工艺，确保了齐纳电压的容差控制在±2%以内，显著优于许多通用型齐纳二极管（通常为±5%或更宽）。这一特性提升了电路的整体精度，尤其在需要高重复性和一致性的测量系统中至关重要。此外，KDZVTR20B具有较低的动态阻抗（典型值≤50Ω），意味着即使负载电流发生快速变化，其两端电压仍能保持相对恒定，从而提高电源抑制能力和抗干扰性能。
在热管理方面，SOD-123FL封装不仅体积小巧（约2.7mm × 1.6mm × 1.1mm），而且具有优异的散热效率，能够在有限的空间内有效传导热量，支持高达200mW的连续功率耗散。这使得KDZVTR20B可以在不增加额外散热措施的情况下可靠运行于中等功率环境。
该器件还表现出良好的温度稳定性，其电压温度系数约为+0.04%/°C，在-55°C至+150°C的宽温度范围内变化平缓，避免因环境温度波动导致的基准漂移问题。同时，反向漏电流极低（≤1μA @ VR=1V），在待机或休眠模式下几乎不影响系统功耗，非常适合用于高阻抗电路和节能设计。
最后，KDZVTR20B符合RoHS指令和无卤素要求，支持回流焊工艺，具备良好的可制造性，适用于自动化贴片生产线。综合来看，这些特性使KDZVTR20B成为追求小型化、高精度和高可靠性的电子系统中的理想选择。
KDZVTR20B广泛应用于多种电子系统中，主要用于提供精确的电压参考和实现信号电平箝位保护。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它常被用作低电压电源轨的稳压元件，保障敏感模拟电路的正常运行。在工业控制系统中，该器件可用于PLC输入接口的过压保护，防止外部瞬态电压损坏主控芯片。此外，在数据采集系统和传感器信号调理电路中，KDZVTR20B可作为ADC的低端参考电压源，提升测量精度与线性度。通信模块（如Wi-Fi、蓝牙和LoRa模组）也常利用其稳定的2.0V基准进行偏置设置或噪声抑制。汽车电子中的非动力域系统，例如车载信息娱乐系统或车内传感器网络，同样适用该器件进行电压监控与ESD防护。由于其小型化封装和高可靠性，KDZVTR20B也适用于空间受限的高密度PCB布局设计，包括物联网节点、无线传感终端和智能卡等应用场合。
MAZ20B, MMBZ20V, BZT52C2V0, CZR5220
