时间：2025/5/13 13:21:43
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KDZVTFTR15B 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种电力电子设备中的功率转换和电机驱动场景。
这款芯片的主要特点是其优异的热性能和稳定性，能够在高频和高负载条件下保持稳定的运行状态。由于其出色的电气特性和可靠性，KDZVTFTR15B 广泛应用于电源管理、工业自动化以及消费类电子产品中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：15A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 较小的栅极电荷，有助于减少驱动功耗。
4. 强大的散热性能，支持长时间高负载运行。
5. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠操作。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 工业控制设备中的功率切换元件。
5. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
IRFZ44N
STP16NF50
FDP5800
