时间：2025/9/12 13:10:35
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KDZ8.2V-RTK 是一种表面贴装（SMD）封装的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和过压保护应用。该器件的标称齐纳电压为8.2V，适用于需要稳定参考电压的电子电路中，例如电源管理、电池充电、信号调节等场景。该型号采用RTK封装形式，具有良好的热稳定性和响应速度。
类型：齐纳二极管（Zener Diode）
封装形式：RTK（SMD）
标称齐纳电压：8.2V
最大耗散功率：300mW
最大齐纳电流：200mA
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
最大反向漏电流（@ VR）：100nA（典型值）
齐纳阻抗（@ IZ）：15Ω（典型值）
KDZ8.2V-RTK 齐纳二极管具备良好的电压稳定性能，其齐纳击穿电压在反向偏置条件下保持稳定，适用于低功率电压调节电路。该器件的SMD封装形式便于自动化生产，提高了电路板的空间利用率和焊接可靠性。
此外，其工作温度范围广泛（-55°C 至 +150°C），适用于各种工业环境下的应用。在高温条件下，该齐纳二极管仍能保持稳定的电压调节性能，确保系统的可靠运行。
KDZ8.2V-RTK 的最大耗散功率为300mW，能够承受一定的瞬态过压情况，从而保护后续电路不受损坏。其较低的反向漏电流（典型值100nA）有助于减少电路在待机或低功耗模式下的能耗，提高整体能效。
该器件的齐纳阻抗较低（典型值15Ω），这意味着在负载变化时，输出电压的波动较小，从而提供更精确的电压参考。这一特性使其非常适合用于模拟电路中的参考电压源、ADC/DAC偏置电压、以及逻辑电平转换等应用场合。
KDZ8.2V-RTK 主要应用于以下场景：1）电源管理系统中作为参考电压源或稳压元件；2）电池充电电路中用于限制最高充电电压；3）信号调理电路中提供稳定的偏置电压；4）数字电路中用于逻辑电平转换或钳位保护；5）工业控制设备和通信模块中用于保护敏感电路免受静电或瞬态电压的影响。
BZX84C8V2, 1N4735A, MMSZ5237B
