类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　标称齐纳电压：8.2V
　　最大耗散功率：200mW（部分型号可能有所不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：0805 SMD（表面贴装）
　　最大反向电流：50mA（典型值）
　　齐纳阻抗（Zzt）：约10Ω（典型值）
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

KDZ8.2V-RTK/P/0805-8.2V 是一款适用于高精度电压稳压和参考源的齐纳二极管。其主要特性包括：高电压稳定性、低动态阻抗、快速响应时间和良好的温度系数。该器件在反向击穿状态下工作，能够维持一个恒定的电压，即使输入电流发生变化。齐纳二极管的动态阻抗较低，有助于减少电压波动并提高电路的稳定性。此外，该型号采用0805封装，具有较小的体积，适用于高密度PCB布局。该器件的功耗通常在200mW以内，适用于低功耗设计。齐纳二极管在电源管理、信号调节、仪表和测量设备中具有广泛的应用。由于其响应速度快，也可用于瞬态电压抑制和过压保护电路中。
　　在使用过程中，应确保齐纳二极管的工作电流在其最小击穿电流和最大额定电流之间，以保证其稳定工作。此外，该器件对温度变化较为敏感，因此在高精度应用中可能需要采取温度补偿措施。

KDZ8.2V-RTK/P/0805-8.2V 主要用于需要稳定电压参考或电压调节的电路中。典型应用包括：模拟和数字电路中的电压参考源、低功耗稳压器、过压保护电路、信号调节电路、测试与测量设备、工业控制系统以及电源监控电路。由于其封装小巧且性能稳定，该器件特别适合用于便携式电子产品和嵌入式系统中。在音频和视频设备中，该齐纳二极管也可用于提供稳定的偏置电压或参考电压，以确保系统工作的可靠性。

1N4735A-TAP、BZX84C8V2、MMBZ5231B-TP、1N5231B-T