时间:2025/12/25 12:25:03
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KDZ7.5B是一种稳压二极管(Zener Diode),属于日本东芝(Toshiba)公司生产的KDZ系列。该系列二极管以其高精度的稳压性能、良好的温度稳定性和小尺寸封装而广泛应用于各种电子电路中,尤其是在需要低功率稳压或电压参考的场合。KDZ7.5B的标称稳压值为7.5V,适用于需要精确7.5V基准电压或过压保护的应用场景。该器件采用小型表面贴装封装(如SOD-323或类似封装),具有较小的占用空间,适合高密度PCB布局。KDZ7.5B的工作原理基于齐纳击穿效应,在反向偏置条件下,当电压达到其额定齐纳电压(7.5V)时,器件进入导通状态并维持一个相对稳定的电压,从而实现电压钳位或稳压功能。该器件具有较低的动态阻抗和较高的电压精度,通常在±2%至±5%的容差范围内。此外,KDZ7.5B具备良好的长期稳定性,能够在较宽的温度范围(-55°C至+150°C)内可靠工作,适用于工业控制、消费电子、电源管理、信号调理等多种应用场景。由于其封装小巧且功耗较低,也常用于便携式设备和电池供电系统中作为电压参考源。
类型:齐纳二极管
极性:单向
标称齐纳电压:7.5V
电压容差:±5%
测试电流:5mA
最大齐纳阻抗:35Ω
最大功率耗散:200mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD-323
正向电压:1.2V @ 10mA
反向漏电流:1μA @ 6V
KDZ7.5B作为一款高性能的7.5V齐纳稳压二极管,具备多项优异的电气与物理特性,使其在众多低压稳压应用中表现出色。
首先,该器件具有高电压精度,其标称稳压值为7.5V,典型容差为±5%,在5mA的测试电流下能够提供稳定可靠的电压输出。这一特性确保了其在作为参考电压源使用时的准确性,尤其适用于对电压稳定性要求较高的模拟电路、ADC基准源或偏置电路中。
其次,KDZ7.5B拥有较低的动态阻抗(最大35Ω),这意味着在负载电流变化时,其输出电压波动较小,能够有效抑制电源噪声和纹波,提升系统的整体稳定性。低动态阻抗是衡量齐纳二极管性能的重要指标,对于需要高稳定性的电压参考应用至关重要。
此外,该器件采用SOD-323小型表面贴装封装,体积小巧,便于自动化贴片生产,适用于高密度印刷电路板设计。其热性能良好,在适当的散热条件下可承受最高200mW的功率耗散,满足大多数低功耗应用的需求。
KDZ7.5B还具备优良的温度稳定性,工作结温范围可达-55°C至+150°C,适用于极端环境下的工业与汽车电子应用。其反向漏电流极低(在6V时仅为1μA),有助于减少待机功耗,提高能效。
最后,该器件具有良好的长期可靠性与老化特性,经过严格的制造工艺控制,确保在长时间运行中电压漂移极小,适合用作精密电压基准。综合这些特性,KDZ7.5B是一款性能稳定、适用范围广的稳压二极管,广泛用于电压钳位、过压保护、电平转换和电源监控等电路中。
KDZ7.5B稳压二极管因其精确的7.5V稳压特性和高可靠性,被广泛应用于多种电子系统中。
在电源管理电路中,它常用于低压直流电源的输出端,作为简单的稳压元件或电压参考源,配合三极管或运算放大器构成线性稳压器,用于为微控制器、传感器或其他模拟电路提供稳定的供电电压。
在信号调理电路中,KDZ7.5B可用于电平钳位或限幅,防止输入信号超过安全范围,保护后续敏感器件免受过压损坏,常见于通信接口、音频处理和数据采集系统中。
此外,该器件也广泛用于电压检测与监控电路,例如在电池供电设备中,通过比较器检测电池电压是否低于或高于设定阈值,KDZ7.5B可作为7.5V参考电压输入,实现欠压或过压报警功能。
在工业控制系统中,它可用于PLC模块、传感器信号调理单元中的基准电压源,确保测量精度不受电源波动影响。
由于其SOD-323封装的小型化特点,KDZ7.5B特别适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中,用于内部电压参考或ESD保护辅助电路。
在汽车电子领域,尽管其非车规级版本可能不适用于主控系统,但仍可用于车载娱乐系统、仪表盘显示模块等次级电路中作为稳压元件。
此外,该器件还可用于LED驱动电路中的电压反馈环节,或作为开关电源反馈回路的一部分,帮助调节输出电压稳定性。
总之,KDZ7.5B凭借其稳定的电气性能和紧凑的封装形式,在消费电子、工业控制、通信设备和嵌入式系统等多个领域均有广泛应用。
MMBZ5234B
BZT52C7V5
1N4735A
SZ1ZM7V5