时间：2025/12/25 12:09:41
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KDZ24B是一种齐纳二极管（Zener Diode），属于稳压二极管类别，主要用于提供精确的参考电压或在电路中实现电压箝位和稳压功能。该器件通过利用PN结反向击穿时的齐纳效应，能够在特定的反向电压下维持一个相对稳定的电压值。KDZ24B中的“24”通常表示其标称齐纳电压为24V，适用于需要24V稳压参考的应用场景。该系列二极管通常采用小型封装，如SOD-123或类似的表面贴装形式，适合高密度PCB布局，广泛应用于电源管理、过压保护、电压检测等场合。
齐纳二极管的工作原理基于半导体PN结的反向击穿特性。当外加反向电压达到齐纳电压时，电流会迅速增加，而电压几乎保持不变，从而实现稳压功能。KDZ24B具有较低的动态电阻和良好的温度稳定性，能够在较宽的电流范围内保持输出电压的稳定。此外，该器件通常具备较高的可靠性与耐久性，适用于工业控制、消费电子、通信设备等多种环境条件下的应用。
类型：齐纳二极管
极性：单向
标称齐纳电压：24V
容差：±5%
功率耗散：500mW
最大正向电流：200mA
最大反向漏电流：1μA
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOD-123
KDZ24B齐纳二极管具备出色的电压稳定性和低动态阻抗特性，使其在多种稳压和参考电压应用中表现出色。其标称齐纳电压为24V，在额定工作电流下能够提供非常稳定的输出电压，且电压波动极小。由于采用了先进的半导体制造工艺，该器件具有较小的电压温漂系数，确保在不同环境温度下仍能维持较高的稳压精度。这对于需要长期运行且对电压精度要求较高的系统尤为重要，例如模拟信号调理电路或ADC参考源等应用场景。
该器件的容差为±5%，意味着实际的齐纳电压会在22.8V至25.2V之间，这一范围对于大多数非精密应用已经足够。同时，KDZ24B的最大功率耗散为500mW，结合其热阻特性，可以在适当的散热条件下支持较大的反向电流，适用于需要一定负载能力的稳压电路。其低反向漏电流（典型值小于1μA）保证了在未达到击穿电压前的高阻态性能，减少不必要的功耗和信号干扰。
SOD-123封装使KDZ24B非常适合表面贴装技术（SMT），有利于自动化生产和紧凑型设计。该封装还具备良好的热传导性能，有助于将内部产生的热量有效传递至PCB，提升整体可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适用于现代绿色电子产品设计。总体而言，KDZ24B是一款性能可靠、成本效益高的稳压解决方案，广泛用于电源监控、浪涌保护、电压基准生成等电路中。
KDZ24B常用于各类电子设备中的稳压与电压参考电路，特别是在需要24V基准电压的场合。典型应用包括开关电源的反馈回路中作为电压采样参考，用于调节输出电压的稳定性；也可用于过压保护电路中，当线路电压超过24V时触发保护机制，防止后级电路受损。在工业控制系统中，该器件可用于PLC模块的电源监测单元，确保供电电压处于安全范围内。
此外，KDZ24B还可作为比较器或运算放大器的参考电压源，用于设定阈值电平，常见于电池管理系统、电源状态指示器和电压检测电路中。在通信设备中，它可用于接口电平转换电路中的电压箝位，避免因瞬态高压造成芯片损坏。由于其小型化封装和高可靠性，也适用于便携式电子设备和嵌入式系统中，用于局部稳压或ESD防护。总之，只要涉及24V左右的稳压或电压限制需求，KDZ24B都是一个实用且经济的选择。
MMBZ5259B
PMBZ5259B
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