STFI7LN80K5 时间：2025/8/7 10:29:00 阅读：13

STFI7LN80K5 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高电压、高电流能力的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种高功率应用场景，例如电源转换、马达控制、DC-DC转换器以及工业自动化系统等。该器件基于先进的STripFET? F7技术制造，具备出色的导通性能和开关特性，同时具备较高的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极-源极电压（Vds）：800 V
　　最大连续漏极电流（Id）：7 A
　　最大栅极-源极电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值1.25 Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

STFI7LN80K5 的核心特性包括优异的导通性能和开关性能，这得益于其采用了先进的STripFET? F7技术。该技术能够显著降低器件的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗并提高整体能效。此外，该MOSFET具备较高的热稳定性，能够在恶劣的工作环境中保持可靠的性能。其800 V的最大漏极-源极电压使其适用于高电压应用，例如离线电源、照明系统以及工业控制设备。
　　该器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。此外，STFI7LN80K5还内置了保护机制，例如过热保护和雪崩击穿保护，以增强器件在极端工作条件下的可靠性。其±30 V的栅极-源极电压耐受能力提供了更大的设计灵活性，可以适应不同的驱动电路配置。

应用

STFI7LN80K5 被广泛应用于各种高功率和高电压的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、马达控制电路、太阳能逆变器、电池充电器以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，该器件也适用于需要高能效和高可靠性的家用电器，例如电饭煲、电磁炉等大功率电器产品。由于其具备较高的导通能力和热稳定性，STFI7LN80K5也常被用于需要长时间运行的工业控制系统，例如工业电机驱动和智能电网设备。