KDZ12EV 时间：2025/9/12 11:58:15 阅读：4

KDZ12EV 是一款由东芝（Toshiba）制造的双向触发二极管（Diode for Thyristor Gate Driving），主要用于触发可控硅（SCR）或三端双向可控硅（TRIAC）等功率半导体器件。该器件能够在高电压和高电流条件下稳定工作，适用于多种工业控制和电源管理应用。

参数

类型：双向触发二极管
　　最大重复峰值电压（VDRM）：12V
　　最大平均整流电流（Io）：0.1A
　　最大反向电流（IR）：在额定电压下为0.1mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-123

特性

KDZ12EV 作为一款双向触发二极管，具有多项关键特性以确保其在复杂电气环境中的可靠性和稳定性。首先，其最大重复峰值电压为12V，适用于中低电压等级的可控硅驱动应用。该器件能够在双向导通模式下工作，使其能够适应交流电路中的触发需求。此外，其最大平均整流电流为0.1A，能够满足一般控制电路的电流需求。
　　该器件具有较低的反向漏电流（最大为0.1mA），这有助于减少在高阻断状态下不必要的功耗和热损耗，提高系统的整体效率。KDZ12EV 还具备宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业自动化、电源开关控制和电机驱动等场景。
　　采用SOD-123小型封装形式，KDZ12EV 在保证良好热性能的同时，也具备较高的空间利用率，适合在紧凑型电路设计中使用。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于现代电子产品制造中的环保要求。

应用

KDZ12EV 主要用于触发可控硅（SCR）和三端双向可控硅（TRIAC）器件，常见于交流电源控制电路中。例如，在调光电路、电动机速度控制、电热器温度控制以及工业自动化设备中，该器件能够有效地提供触发信号，确保主功率器件的可靠导通。此外，该器件也适用于隔离型驱动电路、继电器替代电路以及固态继电器（SSR）中的控制部分。由于其双向导通特性，KDZ12EV 特别适用于需要对交流信号进行对称触发的应用场景。