时间：2025/9/11 17:00:29
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KDZ100VW 是一款专为工业和消费类应用设计的高效能功率场效应晶体管（Power MOSFET）。这款MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高耐压特性以及卓越的热稳定性，适用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及电池管理系统等场景。KDZ100VW 的封装形式通常为TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装，便于散热和在高电流应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：80A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大5.5mΩ（典型值可能为4.3mΩ）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.8V至3.0V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
KDZ100VW 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统的效率。该器件在100V的漏源电压下仍能保持稳定的性能，适用于高压应用。其高达80A的连续漏极电流能力使其非常适合用于高功率密度的设计。
此外，KDZ100VW 采用了先进的封装技术，具有良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定工作。其栅极阈值电压范围适中（1.8V至3.0V），使其与常见的逻辑电平控制器兼容，便于驱动。
从制造工艺来看，KDZ100VW 使用了高密度沟槽技术，优化了载流子分布，从而进一步降低了导通压降。这种设计也提升了器件的热稳定性和长期可靠性，适用于工业级和汽车级应用。
KDZ100VW 广泛应用于多种电力电子系统中。在电源管理领域，它常用于同步整流型DC-DC转换器、升压/降压变换器以及AC-DC电源模块，以提高效率并减小系统尺寸。在电机控制方面，该器件可作为H桥电路中的开关元件，用于直流电机或步进电机的驱动。
在新能源领域，KDZ100VW 也适用于电池管理系统（BMS）和储能系统的充放电控制电路。其高电流能力和低导通损耗使其成为电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的理想选择。
此外，该器件还可用于工业自动化设备中的电源开关、负载开关以及高功率LED照明系统的驱动电路。其高可靠性和良好的热管理性能使其在恶劣环境条件下仍能稳定工作。
SiHF80N100E、FDP80N100、IRF840、STP80NF10
