时间：2025/7/23 17:55:01
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TMS44C256-60N是由德州仪器（Texas Instruments）生产的一款动态随机存取存储器（DRAM）芯片，容量为256K x 4位，总共提供1Mbit的存储容量。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗的特点，适用于需要中等容量存储的应用场景。TMS44C256-60N采用标准的DRAM接口，支持异步操作，适用于多种嵌入式系统和老式计算机设备。其工作电压为5V，封装形式为20引脚DIP（双列直插式封装），适合通孔焊接安装。
容量：256K x 4位
电压：5V
封装类型：20引脚DIP
访问时间：60ns
工作温度范围：0°C至70°C
工艺技术：CMOS
数据总线宽度：4位
接口类型：异步
TMS44C256-60N的主要特性包括其采用CMOS工艺制造，具备较低的功耗，适合需要节能设计的应用。其256K x 4位的存储结构意味着每个存储单元可以存储4位数据，总共可存储1Mbit的数据量，适用于需要中等容量存储的系统。该芯片的访问时间为60ns，能够满足一般性能需求的应用场景。此外，TMS44C256-60N的工作温度范围为商业级（0°C至70°C），适合在普通环境条件下使用。其20引脚DIP封装便于手工焊接和调试，适合原型设计和小批量生产应用。
TMS44C256-60N常用于需要中等容量RAM的嵌入式系统、工业控制设备、老式计算机和外围设备中。由于其异步接口设计，该芯片可以方便地与多种微控制器和处理器配合使用，适用于需要扩展内存的场合。此外，该芯片也常见于教学实验设备、开发板和电子工程原型设计中，适合用于学习和研究用途。
TMS44C256-70N, TMS44C256-80N
