时间：2025/12/28 15:43:59
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KDV804KS是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET晶体管，广泛应用于各种电力电子设备中，例如电源管理、电机控制和DC-DC转换器等。这款MOSFET具有高性能的导通电阻和快速的开关特性，适用于高效率和高频率操作场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：10A（最大值）
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大0.045Ω（在VGS=10V）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
KDV804KS具备极低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其快速开关特性也使其适用于高频操作，有助于减小外围元件的尺寸。此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，提供了良好的热管理和可靠性。在过载或异常工作条件下，它也表现出良好的耐用性，适用于各种严苛的工业环境。
该器件还具有优异的抗雪崩击穿能力，能够承受一定的过电压和过电流冲击，而不发生永久性损坏。这使得KDV804KS在高可靠性要求的应用中表现尤为出色。此外，其封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定的工作温度。
KDV804KS常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制电路。它也可用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器和电池管理系统等。
TK8A50D,TN070N60
