时间：2025/9/1 10:46:47
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H5TC4G83CFR-RDI 是由SK Hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高密度DRAM产品系列。这款芯片采用了先进的工艺技术，具备高性能和低功耗的特点，广泛适用于各种需要高速数据存储和处理的电子设备。H5TC4G83CFR-RDI采用FBGA封装形式，具备4GB的存储容量，适合需要大容量内存的应用场景。该芯片设计可靠，具备出色的稳定性和耐用性，是许多高性能系统中的理想选择。
容量：4GB
类型：DRAM
封装类型：FBGA
工作电压：1.35V - 1.5V
接口类型：Parallel
数据宽度：x8
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H5TC4G83CFR-RDI 采用先进的DRAM技术，具有高性能和低功耗的特性，适用于各种高性能计算和存储需求。该芯片支持高速数据访问，能够满足现代电子设备对数据处理速度的高要求。其低电压设计不仅有助于降低整体功耗，还提高了系统的能效比。此外，该芯片具有良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在各种复杂的工作环境中保持稳定的性能。FBGA封装形式不仅提供了良好的电气性能，还具有优异的散热能力，确保芯片在高负载下也能保持良好的工作状态。H5TC4G83CFR-RDI的高可靠性和长寿命设计使其成为工业级应用的理想选择。
H5TC4G83CFR-RDI 广泛应用于各种高性能计算设备、服务器、网络设备、图形处理单元（GPU）、嵌入式系统和工业自动化设备中。其高容量和低功耗特性使其在需要大量数据存储和快速访问的应用场景中表现出色。此外，该芯片也适用于消费类电子产品，如高端智能手机、平板电脑和智能电视等。由于其出色的稳定性和耐用性，H5TC4G83CFR-RDI也常用于车载电子系统和航空航天等高要求领域。
H5TC4G63CFR-RDI, H5TC4G63CFR-ROC, H5TC4G83CFR-ROC
