KDV269E-RTK/P 时间：2025/9/12 12:00:38 阅读：4

KDV269E-RTK/P 是由 KEC Corporation（韩国电子部件公司）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。这款晶体管专为高频率和低噪声应用设计，广泛用于射频（RF）放大器、无线通信系统以及其他需要高性能晶体管的电子设备中。该晶体管采用TO-92包装，具有良好的稳定性和可靠性，适合在多种电子电路中使用。

参数

类型：NPN型晶体管
　　封装类型：TO-92
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　频率范围：100MHz
　　增益（hFE）：110至800（根据电流和条件变化）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

KDV269E-RTK/P 晶体管具有多项优异特性，适用于高频和低噪声应用场景。其NPN结构设计使其能够高效地放大信号，同时保持较低的噪声水平，这对于射频和通信应用至关重要。此外，该晶体管的TO-92封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性，确保在长时间运行中保持稳定性能。
　　其最大集电极电流为100mA，适用于中等功率的应用场景，同时集电极-发射极和集电极-基极的耐压值均为30V，这使得该晶体管能够在较高的电压环境下正常工作。最大功耗为300mW，保证了在不同负载条件下的稳定运行。
　　该晶体管的频率范围可达100MHz，适用于射频信号的放大和处理。此外，其增益（hFE）范围为110至800，具体数值会根据工作电流和电压条件有所变化，这种宽泛的增益范围使其能够适应多种电路设计需求。
　　KDV269E-RTK/P 的工作温度范围为-55°C至150°C，确保其在极端温度条件下仍能可靠运行，适用于工业级和汽车电子等要求较高的应用场景。

应用

KDV269E-RTK/P 晶体管因其高频特性和低噪声设计，被广泛应用于射频放大器、无线通信设备、音频放大电路、开关电路以及各种电子控制系统中。在无线通信系统中，它可用于前置放大器或信号增强模块，以提升信号质量和传输距离。在消费类电子产品中，该晶体管可用于音频放大电路，提供清晰的声音输出。此外，它还可用于工业自动化控制系统和汽车电子设备中的信号处理和开关控制电路。
　　由于其高可靠性和宽温度范围，KDV269E-RTK/P 也常用于户外通信设备、车载导航系统以及远程传感装置。在这些应用场景中，晶体管需要承受较大的温度变化和环境波动，而该型号能够稳定工作，确保系统的正常运行。