KDV1471-B-RTK 是一款由 KEC(韩国电子技术公司)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率功率开关应用设计,适用于诸如电源转换、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场景。KDV1471-B-RTK 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,提供了较低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了系统效率。该器件采用 TO-252(DPAK)封装,具有良好的热性能和紧凑的尺寸,适合于高密度 PCB 设计。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):10A
最大漏-源电压(VDS):60V
最大栅-源电压(VGS):±20V
导通电阻(Rds(on)):30mΩ(典型值)
功耗(PD):2W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
KDV1471-B-RTK 具备一系列优良的电气和热性能特点,适用于多种功率应用。其主要特性包括:
1. **低导通电阻(Rds(on))**:典型值为 30mΩ,显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体效率。这使得该器件特别适用于需要高效能和低发热的电源设计。
2. **高电流能力**:能够承受高达 10A 的连续漏极电流,适合用于中高功率的开关应用,如电源适配器、DC-DC 转换器和电机驱动电路。
3. **高耐压能力**:漏-源电压(VDS)最大可达 60V,能够在较高的电压环境下稳定工作,拓宽了其在多种电源系统中的应用范围。
4. **良好的热性能**:TO-252(DPAK)封装提供了较好的散热能力,确保在高功率密度设计中依然保持良好的温度控制。
5. **静电放电(ESD)保护**:内置栅极保护二极管,提高了器件在装配和使用过程中的抗静电能力,增强了可靠性。
6. **宽工作温度范围**:支持 -55°C 至 +150°C 的工作温度范围,适用于各种严苛环境下的应用,如工业控制、车载系统等。
7. **快速开关特性**:具有较低的输入电容(Ciss)和较小的栅极电荷(Qg),使得该器件在高频开关应用中表现优异,有助于提高系统的动态响应和效率。
KDV1471-B-RTK 广泛应用于多种功率电子系统中,适用于需要高效、高可靠性和紧凑设计的场合。具体应用包括:
1. **电源管理系统**:如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,用于提高电源转换效率并减小系统尺寸。
2. **电机控制电路**:在电机驱动电路中作为功率开关元件,提供高电流能力和快速响应,适用于电动工具、机器人和自动化设备。
3. **电池供电设备**:用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关,能够有效降低功耗并延长电池使用寿命。
4. **工业自动化与控制**:作为高可靠性开关元件,广泛应用于PLC、工业伺服驱动器和智能电表等设备中。
5. **汽车电子**:用于车载电源转换、LED照明驱动和电机控制等场景,满足汽车电子对高可靠性和宽温工作范围的要求。
6. **消费类电子产品**:如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理模块,以提高能效和降低发热量。
7. **太阳能逆变器与储能系统**:作为功率开关用于太阳能逆变器的DC-AC转换部分,以及储能系统的充放电控制电路,提升整体系统效率。
Si2302DS, AO3400, FDS6675, IRLZ44N