类型：GaN射频功率晶体管
　　封装类型：表面贴装（Surface Mount）
　　型号标识：KDR730E-RTK/P SM
　　工作频率范围：典型适用于300MHz至4GHz频段
　　输出功率：约750W（连续波）
　　漏极效率：超过65%
　　增益：约20dB
　　工作电压：通常为50V
　　阻抗匹配：50Ω输入/输出
　　工作温度范围：-55°C至+200°C

KDR730E-RTK/P SM 是一款基于 GaN 技术的高功率射频晶体管，具有出色的热管理和高频性能。其高功率密度使其适用于紧凑型设计，同时支持高能效运行，降低了散热需求和整体系统功耗。
　　这款晶体管采用了 Kyocera 的先进 GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅基板上）工艺，提供了良好的热导率和长期可靠性，适合在严苛的环境条件下工作。此外，其高线性度和低失真特性使其成为多载波通信系统和雷达应用的理想选择。
　　该器件的封装设计支持表面贴装工艺，简化了 PCB 布局并提高了组装效率。其宽频率响应能力使其适用于多种射频应用，包括广播、通信基站和测试设备。
　　KDR730E-RTK/P SM 还具备良好的抗过载能力和高稳定性，能够承受一定程度的失配负载，从而提高了系统的鲁棒性和使用寿命。

KDR730E-RTK/P SM 常用于需要高功率和高频率性能的射频系统中。典型应用包括无线基站功率放大器、广播发射机、雷达系统、射频测试设备以及工业和医疗射频能量应用。其高效能和高可靠性使其在 4G/5G 基站、数字电视发射系统以及军用通信设备中均有广泛应用。

CGH40070M, MRF6V21100, NPT2210, AFT05MS007N