KDR720S IC 时间：2025/9/11 17:53:36 阅读：9

KDR720S 是一款由韩国厂商KEC（Korea Electronics Corporation）推出的功率场效应晶体管（MOSFET），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及各类中高功率电子系统中。KDR720S采用了TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能和较高的电流承载能力，适合在中等功率应用中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大漏极电流（ID）：12A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（典型值，VGS=10V）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KDR720S IC 具备多项优异的电气和物理特性，适用于多种功率电子应用。首先，其最大漏源电压（VDS）为200V，使其能够在高压环境下稳定工作，适用于高压电源转换系统和工业控制电路。其次，该MOSFET的最大漏极电流为12A，具备较高的电流承载能力，适合用于中高功率的负载开关或电机驱动电路中。
　　导通电阻（RDS(on)）是MOSFET性能的关键参数之一，KDR720S 的典型导通电阻为0.35Ω，在VGS=10V时可实现较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。这对于电池供电设备或需要高效率的DC-DC转换器尤为重要。
　　该器件采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热管理和散热性能，能够在高功率运行时有效降低温升，提高系统的稳定性和可靠性。此外，KDR720S 支持±20V的栅极电压，具备较强的抗过压能力，有助于防止栅极击穿，提升器件在复杂电磁环境中的工作稳定性。
　　其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于广泛的工业和汽车电子应用场景。同时，该MOSFET具备较快的开关速度，适用于高频开关电源、PWM控制电路以及功率放大器等应用场合。

应用

KDR720S IC 主要应用于各类功率电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化控制系统、LED照明驱动电路以及汽车电子模块等。其高压、中大电流特性也使其适用于逆变器、电源管理模块和功率放大器等场合。由于其封装形式便于散热，因此在对空间和散热有要求的PCB设计中具有较高的实用价值。