类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：15A
　　导通电阻(Rds(on))：50mΩ（最大）
　　功率耗散(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

KDR701S MOSFET IC 具有多个优良特性，使其适用于各种高性能功率应用。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流应用。此外，该器件具有高耐压能力，漏源电压可达100V，能够承受较高的瞬态电压冲击，提高了系统的可靠性和稳定性。
　　其次，KDR701S 采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和机械强度，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高效散热设计。该封装形式也使其在高功率密度应用中表现出色。
　　此外，该MOSFET具备高开关速度，能够支持高频操作，适用于开关电源、同步整流、DC-DC转换器等需要快速开关的场合。其栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，兼容多种驱动电路设计。
　　最后，KDR701S 在过载和短路条件下仍能保持稳定工作，具备一定的抗过载能力，并可通过外部电路进行保护设计，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等对可靠性要求较高的应用场景。

KDR701S MOSFET 广泛应用于多个领域。在电源管理方面，该器件可用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路中，提供高效率和稳定的功率控制。在电机控制领域，KDR701S 可用于直流电机驱动器、步进电机控制器和无刷电机控制系统，其高电流承载能力和低导通损耗有助于提升电机控制效率。
　　此外，该IC也常用于电池管理系统（BMS）和充电器电路中，适用于便携式电子设备、电动工具和储能系统的电源控制。在汽车电子应用中，KDR701S 可用于车载电源转换器、LED驱动器和车身控制模块，其高可靠性和良好的热性能能够满足汽车环境下的严苛要求。
　　在工业自动化设备中，该MOSFET可用于PLC控制模块、工业电源、继电器替代电路和智能电表等场景，提供高效、稳定的功率开关控制。其高频特性也使其适用于谐振变换器和隔离式电源设计。

KDR701S 的替代型号包括：IRFZ44N、Si4440DY、FDMS8878、TKA701S