时间：2025/8/3 15:27:34
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KC24H-1000X3是一种高压MOSFET功率晶体管，广泛应用于高功率电子设备中。这款MOSFET具有优异的导通特性和快速的开关性能，适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。该器件采用先进的制造工艺，确保了其在高电压和大电流条件下的稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
漏源击穿电压（VDS）：250V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.018Ω
封装类型：TO-247
KC24H-1000X3具有低导通电阻，使其在导通状态下能够减少功率损耗，提高整体系统效率。此外，它具备快速开关能力，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和电机控制器。该器件的热性能优越，能够在高温度环境下稳定工作，并且具有良好的抗过载能力。此外，KC24H-1000X3采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级和汽车级应用需求。
该MOSFET广泛应用于高功率开关电源、电机驱动器、逆变器、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等领域。由于其优异的电气特性和高可靠性，KC24H-1000X3也常用于UPS（不间断电源）系统和太阳能逆变器等对性能要求较高的应用中。
SiHF100N250LD, FDP100N250S
