类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：7A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（典型值）
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220 或 TO-263

KC2178AH具备多个关键特性，使其适用于各种高电压和高功率的应用。首先，其高漏源电压（800V）允许它在高压电源转换系统中稳定工作，如开关电源（SMPS）和AC-DC转换器。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　此外，KC2178AH的栅极驱动电压范围较宽（±30V），使其能够与多种驱动电路兼容，同时具备较强的抗干扰能力。该器件还具备良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持可靠运行。
　　由于其封装形式为TO-220或TO-263，散热性能良好，适用于需要高效散热的工业控制和电源管理应用。同时，该MOSFET具有较高的抗雪崩能力，能在突发电压冲击下保持稳定运行，提高整体系统的可靠性。

KC2178AH MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中。最常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器和负载开关电路。在开关电源中，KC2178AH用于高频开关操作，以实现高效的能量转换。
　　在工业自动化控制系统中，该MOSFET可用于控制高功率负载，如加热元件、照明系统和电动机。此外，KC2178AH也可用于消费类电子产品，如智能家电、UPS不间断电源和LED照明驱动电源。
　　由于其高耐压和良好的导通特性，该器件也常用于光伏逆变器和新能源系统的功率控制部分，为太阳能发电系统提供稳定的电力转换支持。

K2178AH, K2178A, FQA7N80C, IRF840, 2SK2178AH