时间：2025/4/30 18:55:06
阅读：3
BSC110N15NS5是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道功率MOSFET，采用TO-252 (DPAK) 封装。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景，其高效率和低导通电阻特性使其成为高性能应用的理想选择。
这款MOSFET具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而降低了功率损耗并提高了整体效率。此外，BSC110N15NS5还具备出色的热稳定性和可靠性，能够适应各种复杂的工作环境。
最大漏源电压：150V
最大连续漏极电流：6.9A
最大脉冲漏极电流：30A
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω
栅极电荷：18nC
输入电容：700pF
总功耗：1.9W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
BSC110N15NS5的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)），这显著减少了传导损耗，尤其是在高频开关应用中。此外，该器件的高击穿电压（150V）确保了其能够在高压环境下可靠运行。
其紧凑的TO-252封装形式也便于表面贴装工艺，同时提供了良好的散热性能。BSC110N15NS5支持快速开关操作，适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
由于采用了先进的制造工艺，该MOSFET在动态特性和静态特性之间实现了很好的平衡，从而提升了系统的整体性能。此外，其低栅极电荷特性有助于减少开关损耗，进一步提升效率。
BSC110N15NS5适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 电机驱动与控制
- 工业自动化设备中的负载切换
- 汽车电子系统中的功率管理
- LED照明驱动电路
- 家用电器中的功率调节模块
其多功能性使得这款MOSFET成为许多工程师在设计高效功率转换和控制电路时的首选解决方案。
BSC090N15NS5
BSC100N15NS3
IRFZ44N
FDP140AN
