时间：2025/5/29 15:18:28
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KBU25005是一种基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高功率应用设计。该器件具有出色的开关特性和低导通电阻，适用于电源管理、射频放大器以及高速数据转换等领域。
由于其材料特性，KBU25005能够在高频下保持高效能表现，同时减少能量损耗，是现代电子设备中关键的功率放大和转换组件。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：5A
输出电容：15pF
栅极电荷：75nC
导通电阻：0.1Ω
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
KBU25005采用先进的氮化镓技术制造，具备卓越的热性能和电气性能。它支持高达几百兆赫兹的工作频率，并且拥有较低的寄生电感和电容，使得开关速度更快，效率更高。
此外，这款器件内置了过流保护和静电放电（ESD）保护功能，增强了可靠性。与传统硅基MOSFET相比，KBU25005在相同尺寸下提供了更高的功率密度和更低的能量损耗。
它的封装形式通常为表面贴装型，便于自动化生产和安装，同时优化了散热路径以提升整体性能。
KBU25005广泛应用于高频功率转换器、DC-DC变换器、无线充电模块以及电机驱动系统等场景。
在通信领域，它可作为射频功率放大器的核心元件，用于基站、卫星通信和其他无线传输设备。
同时，由于其高效的功率处理能力，也适合电动车充电设施、太阳能逆变器以及其他需要高性能电源管理的场合。
KBU25010
KBU28005
GaN064-080WS
TXGA25005
