时间：2025/12/28 15:49:15
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KBH7D5N60F是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于各种电源转换和功率管理场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：7A（连续）
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值约为1.2Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220或DPAK（根据具体制造商）
KBH7D5N60F的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高效率。该器件具有高耐压能力，漏源电压可达600V，适合用于高压电源转换器、开关电源（SMPS）和电机控制应用。此外，它具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，同时具备较强的短时过载承受能力。
其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与各种控制电路接口。器件的封装形式通常为TO-220或DPAK，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。该MOSFET还具备低漏电流和高可靠性，适用于要求长时间稳定运行的工业和消费类电子产品。
KBH7D5N60F广泛应用于各类高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、DC-DC转换器、照明系统（如LED驱动器）、电池充电器以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性，它也常用于逆变器、UPS（不间断电源）和家用电器（如空调和洗衣机）中的功率开关电路。
KIA7N60F, FQP7N60, STP7NK60Z, IRF7N60B
