时间：2025/7/18 16:09:40
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KB926QF B1是一款由三星（Samsung）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于异步DRAM类别。该芯片广泛应用于消费类电子产品、工业设备和通信设备中，用于临时存储数据或作为缓存使用。KB926QF B1采用常见的TSOP（薄型小外形封装）封装形式，适用于需要较高存储容量但对功耗要求相对较低的应用场景。这款DRAM芯片的工作电压通常为5V，存储容量为256K x 4位，属于早期较为常见的DRAM型号之一。
容量：256K x 4位
电压：5V
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
访问时间：55ns/70ns可选
封装尺寸：约18.4mm x 20.0mm
存储架构：异步DRAM
KB926QF B1是一款异步DRAM芯片，其主要特点是不需要时钟同步信号，数据读写操作通过地址和控制信号直接控制，具有较低的成本和较高的兼容性。该芯片的访问时间为55ns或70ns可选，适用于对速度要求不极端苛刻的系统设计。其256K x 4位的存储容量使其在早期的嵌入式系统、显示缓存、网络设备和通信模块中得到了广泛应用。
由于该芯片采用TSOP封装技术，具有较好的散热性能和较小的封装体积，适合高密度PCB布局。其工作温度范围为工业级标准，能够在-40°C至+85°C的环境下稳定运行，适用于各种工业和通信应用。此外，KB926QF B1的电源电压为5V，与许多老式逻辑电路和接口芯片兼容，降低了系统设计的复杂性。
KB926QF B1常用于需要中等容量存储的电子设备中，例如视频监控设备、工业控制板、通信模块、打印机缓存、LCD显示屏控制器以及各种嵌入式系统。由于其异步接口设计，该芯片特别适用于那些不需要高速同步总线的低成本系统。此外，在一些老式的个人计算机外设、网络路由器和交换机中也可见到该芯片的身影。
K4S264K25B-B80/K4S264K25B-B85
