型号：CL21A475KOFNNNG
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0805 (2012)
　　电容值：4.7μF
　　额定电压：16V DC
　　容差：±10%
　　介质材料：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　温度特性：ΔC ≤ ±15%
　　端接类型：镍/锡（Ni/Sn），无铅兼容
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　包装形式：卷带包装（Tape & Reel）
　　产品系列：CL21
　　电介质特性：Class II
　　最大工作电压：16V DC
　　绝缘电阻：≥ 1000MΩ 或 RC ≥ 100sec（取较大者）
　　耐久性：在额定电压和+85°C下连续工作1000小时后，电容值变化不超过初始值的±15%，且绝缘电阻不低于规定最小值

CL21A475KOFNNNG 具备优异的电气性能与物理稳定性，特别适合在中等电压、高电容需求的小型化电子设备中使用。其X5R介质材料提供了良好的温度稳定性，在-55°C到+85°C的宽温范围内，电容值的变化控制在±15%以内，远优于Z5U或Y5V等低稳定性介质，因此可应用于对电容稳定性有一定要求的模拟和数字电路中。该器件采用先进的叠层陶瓷工艺制造，内部由数十甚至上百层陶瓷介质与内电极交替堆叠而成，从而实现小尺寸下高达4.7μF的电容值。然而，作为Class II介质材料，X5R电容存在一定的直流偏压效应，即当施加直流电压时，有效电容值会显著下降。例如，在接近16V工作电压时，实际可用电容可能仅为标称值的60%-70%，因此在电源滤波设计中必须结合三星官方提供的DC bias曲线进行降额分析。此外，该电容也对机械应力较为敏感，PCB弯曲或热胀冷缩可能导致裂纹，进而引发短路或漏电流增加，建议在布局时避免靠近板边或大质量元件，并采用适当的焊盘设计。
　　该型号具备良好的高频响应特性，等效串联电阻（ESR）较低，适合用于开关电源的输入输出滤波，能有效抑制电压纹波和噪声。同时，其较小的封装尺寸（0805）有助于节省PCB空间，提高布线灵活性。在可靠性方面，CL21A475KOFNNNG 经过严格的环境测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（TC）和耐久性试验，确保在复杂工况下的长期稳定运行。其无铅端接结构不仅符合RoHS和REACH环保指令，还兼容现代无铅回流焊工艺（峰值温度通常不超过260°C）。此外，该器件具有较低的等效串联电感（ESL），有助于提升高频去耦效果，常被用于为高速数字IC（如MCU、FPGA、ASIC）的供电引脚提供瞬态电流支持，减少电源波动对信号完整性的影响。

CL21A475KOFNNNG 广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要中等容量、稳定温度特性和小型封装的场合。在消费类电子产品中，它常用于智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机中的电源管理单元（PMU）或DC-DC转换器的输入与输出端滤波，帮助平滑电压波动并降低电磁干扰（EMI）。在计算机及周边设备领域，该电容可用于主板上的电压调节模块（VRM）旁路、内存供电去耦以及USB接口电源滤波。工业控制设备如PLC、传感器模块和人机界面（HMI）中也大量使用此类电容，以增强系统抗干扰能力和电源稳定性。此外，在通信设备如路由器、交换机和基站模块中，CL21A475KOFNNNG 可用于为射频前端芯片或时钟发生器提供稳定的局部电源，防止噪声耦合影响信号质量。汽车电子方面，尽管该型号不属于车规级（AEC-Q200认证），但在非关键性的车载信息娱乐系统或辅助电源电路中仍有应用潜力。另外，医疗电子设备、智能家居控制器以及物联网（IoT）节点模块中也普遍采用该类MLCC进行电源去耦和噪声抑制。由于其表面贴装特性，非常适合自动化批量生产，能够有效降低制造成本并提高组装效率。在设计时需注意避免机械应力集中区域布放，并合理规划电源路径以发挥其最佳滤波性能。

GRM21BR71C475KA01L
　　CL21A475KOQNNNE
　　C1608X5R1C475K035D
　　LC0805X5R1C475ME