时间：2025/12/28 15:33:23
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KAC3301QN是一款由Kec Corporation生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于高效率和高功率密度的电路设计。KAC3301QN采用TO-252（DPAK）封装形式，便于散热并适用于表面贴装技术。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时，最大为2.8mΩ；@Vgs=4.5V时，最大为4.5mΩ
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
KAC3301QN的主要特性包括低导通电阻，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高系统效率。该器件的高栅极电压耐受能力（±20V）使其在设计中具有更高的可靠性，能够承受一定的电压尖峰而不被损坏。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，TO-252封装提供了较好的散热性能，适用于高功率密度的开关电源和DC-DC转换器应用。
KAC3301QN的开关特性优异，具有快速的上升和下降时间，减少了开关损耗，适合高频操作。其高电流承载能力（80A）使得该器件适用于高负载场景，如电机驱动、电池管理系统和服务器电源等。
此外，该MOSFET具有较强的雪崩能量耐受能力，在非正常工作条件下仍能保持稳定运行，提高了整体系统的鲁棒性。
KAC3301QN广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：高效率电源适配器、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路、服务器和通信设备的电源模块等。由于其高电流能力与低导通电阻特性，它特别适合需要高效率和高可靠性的应用场合。
SiHH80N30EF, FDP80N30, IRLB8721PbF
