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KA5M0165RSTU 发布时间 时间:2025/8/24 18:47:48 查看 阅读:16

KA5M0165RSTU 是三星(Samsung)生产的一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片。该芯片广泛应用于嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、存储卡以及其他需要非易失性存储的设备中。它采用ONFI(Open NAND Flash Interface)标准接口,具备较高的数据读写速度和较长的使用寿命。

参数

型号:KA5M0165RSTU
  容量:128MB
  接口类型:ONFI 1.0
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:0°C 至 +70°C
  数据读取速度:最高50MB/s
  数据写入速度:最高20MB/s

特性

KA5M0165RSTU 是一款基于SLC(Single-Level Cell)技术的NAND闪存芯片,具有较高的可靠性和较长的擦写寿命。其SLC架构使得每个存储单元仅存储1位数据,从而降低了误码率并提高了数据稳定性。该芯片支持ECC(错误校正码)功能,能够在数据读取过程中自动检测和纠正错误,从而增强数据完整性。
  该芯片采用ONFI 1.0标准接口,兼容多种主控器和嵌入式平台,便于系统集成。此外,KA5M0165RSTU 具备低功耗特性,适用于对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间,并提供良好的散热性能。
  在耐久性和数据保留方面,KA5M0165RSTU 支持高达10万次的编程/擦除周期,确保在高负载应用中的长期稳定性。此外,该芯片可在工业级温度范围(0°C至+70°C)下稳定工作,适用于多种环境条件。

应用

KA5M0165RSTU 适用于多种嵌入式存储应用,包括但不限于工业控制系统、手持终端设备、车载导航系统、医疗设备、消费类电子产品(如MP3播放器、电子书阅读器)以及固态硬盘(SSD)等存储解决方案。其高可靠性和低功耗特性使其成为对稳定性和续航能力有较高要求的应用场景中的理想选择。此外,该芯片也常用于需要长期数据存储和频繁数据写入的场合,如数据记录仪、监控设备和物联网(IoT)设备。

替代型号

K9F1G08U0A, K9F1208U0B, NAND512W3A2CNCE01

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