类型：肖特基势垒二极管（Dual SBD）
　　最大正向电流（Io）：1.5A
　　最大反向电压（VR）：30V
　　正向电压（VF）：最大 0.48V（@ 1A）
　　反向电流（IR）：最大 0.1mA（@ 25°C）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP（MLB封装）
　　引脚数：3

RB1314150MLB 的核心优势在于其出色的能效表现和稳定的工作性能。
　　首先，该器件采用了ROHM的先进肖特基二极管技术，实现了较低的正向电压降（VF），从而减少了在电源转换过程中的能量损耗，提高了整体系统效率。在1A电流下，其最大正向电压仅为0.48V，显著优于传统硅整流二极管。
　　其次，RB1314150MLB 内部集成了两个独立的肖特基二极管，采用3引脚SOP（MLB）封装，有助于节省PCB空间，特别适用于空间受限的设计，如便携式设备和小型电源模块。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性和较高的可靠性，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子系统等严苛环境。
　　RB1314150MLB 的封装设计优化了热阻性能，使其在高电流工作条件下仍能保持较低的温升，进一步增强了系统的稳定性和使用寿命。

RB1314150MLB 主要应用于各类高效率电源管理系统和功率转换电路中，例如：
　　DC-DC升压/降压转换器
　　同步整流器中的续流二极管
　　电池充电电路
　　电源适配器与AC-DC电源模块
　　汽车电子系统的电源管理单元
　　LED驱动电路中的整流与保护元件
　　在这些应用中，RB1314150MLB 通过其低VF特性和快速恢复能力，显著提升了系统效率并降低了发热，是替代传统快恢复二极管（FRD）的理想选择。

RB1314150M-E2-F、RB1314150M-E2、RB1314150T1L、RB1314150T1M