时间：2025/4/30 15:33:02
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K9WBG08U5M-SCKO 是三星（Samsung）推出的一款 NAND Flash 存储芯片，采用 3D TLC 技术制造。该芯片主要应用于需要大容量存储的消费电子设备，如智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）和其他嵌入式系统。这款芯片具有高可靠性、低功耗和快速读写速度的特点。
该系列芯片通过多层堆叠技术提升了存储密度，并在性能和成本之间实现了良好的平衡。
容量：8GB
接口：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：WSPB
存储类型：NAND Flash
工艺制程：V-NAND (3D)
数据传输速率：400MB/s
擦写寿命：约 1000 次
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
K9WBG08U5M-SCKO 具备以下显著特性：
1. 高密度存储：通过 3D 堆叠技术实现大容量存储，同时减少芯片面积。
2. 快速读写性能：支持 Toggle DDR 2.0 接口协议，能够提供高达 400MB/s 的数据传输速率。
3. 节能设计：优化了功耗表现，非常适合对电池续航有要求的移动设备。
4. 可靠性：采用了先进的纠错码（ECC）技术和磨损均衡算法，确保数据的完整性和延长使用寿命。
5. 广泛的工作温度范围：能够在工业级温度范围内稳定运行，适用于多种环境条件。
K9WBG08U5M-SCKO 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备：如智能手机和平板电脑的内部存储。
2. 固态硬盘（SSD）：作为主存储介质用于消费级和企业级 SSD。
3. 嵌入式系统：包括物联网设备、网络路由器和工业控制设备中的数据存储。
4. 数字多媒体设备：例如数码相机和摄像机的数据记录功能。
5. 汽车电子：用于车载信息娱乐系统和驾驶辅助系统的数据存储组件。
K9WBG08U5M-BCK0
K9WBG08U1M-SCK0
K9WBG08U5M-TCK0
