时间：2025/7/1 19:59:45
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K9WBG08U5M-SCK0 是一款由三星（Samsung）生产的NAND闪存芯片，主要应用于存储设备领域。该芯片采用MLC（多层单元）技术，支持高密度数据存储，适用于需要大容量和高性能存储的场景，例如固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、嵌入式存储设备等。其设计符合JEDEC标准，并提供高可靠性与低功耗特性。
该型号中的‘K9WBG08U5M’表示具体的芯片规格，而‘SCK0’则为封装或版本信息的一部分。
容量：8GB（64Gb）
存储类型：NAND Flash
单元结构：MLC（Multi-Level Cell）
接口：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V（I/O），3.3V（Vcc）
封装形式：BGA 169 Ball
工作温度：-40°C 至 +85°C
页面大小：16KB
区块大小：2MB
擦写寿命：约3000次
K9WBG08U5M-SCK0 提供高可靠性和快速的数据传输性能，适合各种消费级和工业级应用。
1. 高密度存储：通过MLC技术实现更高的存储密度，在较小的空间内提供更大的存储容量。
2. 快速读写速度：支持Toggle Mode 2.0 接口，能够显著提高数据吞吐量。
3. 低功耗设计：优化的电路架构确保芯片在运行时具有较低的功耗，延长电池供电设备的续航时间。
4. 广泛的工作温度范围：从-40°C到+85°C，适用于各种环境条件下的稳定运行。
5. 高耐用性：经过严格测试，具备良好的抗干扰能力和数据保存能力。
这款NAND闪存芯片广泛用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：
- 消费级和企业级SSD产品中作为主要存储介质。
2. USB闪存盘：
- 在高速USB存储设备中提供大容量存储。
3. 嵌入式系统：
- 包括智能手机、平板电脑、机顶盒等便携式电子设备的内部存储。
4. 工业控制设备：
- 在工业自动化和监控系统中实现可靠的数据记录与存储。
5. 车载电子设备：
- 支持车载信息娱乐系统和导航系统的存储需求。
K9WBG08U1M-SCK0
K9WBG08U5M-DCK0
K9WBG08U5M-BCK0
