K9WBG08U5M-SCK0 是一款由三星(Samsung)生产的NAND闪存芯片,主要应用于存储设备领域。该芯片采用MLC(多层单元)技术,支持高密度数据存储,适用于需要大容量和高性能存储的场景,例如固态硬盘(SSD)、USB闪存盘、嵌入式存储设备等。其设计符合JEDEC标准,并提供高可靠性与低功耗特性。
该型号中的‘K9WBG08U5M’表示具体的芯片规格,而‘SCK0’则为封装或版本信息的一部分。
容量:8GB(64Gb)
存储类型:NAND Flash
单元结构:MLC(Multi-Level Cell)
接口:Toggle Mode 2.0
工作电压:1.8V(I/O),3.3V(Vcc)
封装形式:BGA 169 Ball
工作温度:-40°C 至 +85°C
页面大小:16KB
区块大小:2MB
擦写寿命:约3000次
K9WBG08U5M-SCK0 提供高可靠性和快速的数据传输性能,适合各种消费级和工业级应用。
1. 高密度存储:通过MLC技术实现更高的存储密度,在较小的空间内提供更大的存储容量。
2. 快速读写速度:支持Toggle Mode 2.0 接口,能够显著提高数据吞吐量。
3. 低功耗设计:优化的电路架构确保芯片在运行时具有较低的功耗,延长电池供电设备的续航时间。
4. 广泛的工作温度范围:从-40°C到+85°C,适用于各种环境条件下的稳定运行。
5. 高耐用性:经过严格测试,具备良好的抗干扰能力和数据保存能力。
这款NAND闪存芯片广泛用于以下领域:
1. 固态硬盘(SSD):
- 消费级和企业级SSD产品中作为主要存储介质。
2. USB闪存盘:
- 在高速USB存储设备中提供大容量存储。
3. 嵌入式系统:
- 包括智能手机、平板电脑、机顶盒等便携式电子设备的内部存储。
4. 工业控制设备:
- 在工业自动化和监控系统中实现可靠的数据记录与存储。
5. 车载电子设备:
- 支持车载信息娱乐系统和导航系统的存储需求。
K9WBG08U1M-SCK0
K9WBG08U5M-DCK0
K9WBG08U5M-BCK0