时间：2025/5/13 9:24:52
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K9WAG08U1B-PIB0是三星（Samsung）生产的一款NAND闪存芯片，采用MLC（多层单元）技术，主要用于存储大容量数据。该芯片广泛应用于嵌入式设备、固态硬盘（SSD）、USB闪存盘以及各种需要非易失性存储的场景。其设计注重高性能与低功耗，支持ONFI（Open NAND Flash Interface）规范，适用于需要高速数据读写的应用环境。
该芯片属于高密度存储解决方案，为现代电子设备提供了可靠的存储能力。
容量：8GB
接口：ONFI 3.0
工作电压：1.8V
封装形式：TSOP
页大小：16KB
区块大小：2MB
通道数：8
数据传输速率：200 MB/s
擦写寿命：3000次
K9WAG08U1B-PIB0具备以下主要特性：
1. 高密度存储：单颗芯片提供8GB的存储容量，满足现代设备对大容量存储的需求。
2. 快速数据传输：支持ONFI 3.0规范，最高数据传输速率达到200 MB/s。
3. 可靠性：采用MLC技术，确保数据在多次擦写后的完整性。
4. 低功耗设计：优化的工作电压和待机模式显著降低整体功耗。
5. 耐用性：擦写寿命达到3000次，适合频繁数据更新的应用场景。
6. 广泛兼容性：适用于多种存储架构，易于集成到不同类型的设备中。
该芯片适用于以下应用场景：
1. 嵌入式系统：如工业控制设备、网络路由器等需要稳定存储的场合。
2. 固态硬盘（SSD）：作为主存储单元，提供高速读写性能。
3. USB闪存盘：用于便携式存储设备。
4. 消费类电子产品：如数码相机、媒体播放器等需要大容量存储的产品。
5. 物联网（IoT）设备：为智能设备提供可靠的数据存储功能。
K9WBG08U1M-PCK0
K9WCG08U1D-PIC0
K9WBG08U1A-PIC0
